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申请/专利权人：II-VI特拉华有限公司
申请日：2023-11-08
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118054286A
主分类号：H01S3/067
分类号：H01S3/067
优先权：["20221115 US 17/987,015"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请涉及利用反射拓扑结构的双波段ASE源。提出了一种用于生成在C波段波长范围和L波段波长范围的组合上的放大自发发射ASE的布置，该布置基于反射拓扑结构，该反射拓扑结构减少了生成宽带ASE输出所需要的单独的部件的数量与单独的C波段ASE源和L波段ASE源相比。使用一对ASE生成器，其中至少一个生成器被配置成在所包括的增益光纤的端部处包括反射元件。对反射元件的包括允许所生成的发射通过增益光纤两次模仿常规双级ASE源的操作。由第一ASE生成器产生的ASE的较长波长部分可以被该对中的剩余ASE生成器用作种子输入，以进一步提高沿着L波段波长范围扩展ASE的效率。
主权项：1.一种双波段放大自发发射ASE源，所述双波段ASE源能够跨C波段波长范围和L波段波长范围的组合操作，所述双波段ASE源包括：第一ASE生成器，所述第一ASE生成器包括至少一段掺杂稀土的光纤，响应于光学泵浦光束的存在来生成跨越沿着C+L波长范围的第一波长区域的ASE作为第一生成器输出；和第二ASE生成器，所述第二ASE生成器包括至少一段掺杂稀土的光纤，并响应于光学泵浦光束的存在来生成跨越沿着所述C+L波长范围的第二波长区域的ASE作为第二生成器输出，所述第一生成器输出和所述第二生成器输出的组合形成跨越C+L波段的双波段ASE的输出，其中，所述第一ASE生成器和所述第二ASE生成器中的至少一个被配置为反射模块，所述反射模块在所述至少一段掺杂稀土的光纤的端部处结合反射元件，以产生比所述至少一段掺杂稀土的光纤的物理长度更大的光路长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： II-VI特拉华有限公司 利用反射拓扑结构的双波段ASE源
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