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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-11-07
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118055683A
主分类号：H10N50/10
分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00
优先权：["20221115 KR 10-2022-0152507"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：一种磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；位于所述衬底上的导电图案；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述绝缘中间层，并且接触所述导电图案；位于所述下电极接触上的下电极，所述下电极包括倒圆侧壁；以及位于所述下电极上的存储器结构，所述存储器结构包括堆叠的MTJ结构和上电极。其中，所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述绝缘中间层覆盖。
主权项：1.一种磁阻式随机存取存储器器件，包括：衬底；导电图案，所述导电图案位于所述衬底上；第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层，并且接触所述导电图案；下电极，所述下电极位于所述下电极接触上，并且包括倒圆侧壁；以及存储器结构，所述存储器结构位于所述下电极上，并且包括堆叠的MTJ结构和上电极，其中：所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度，使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述第一绝缘中间层覆盖。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 磁阻式随机存取存储器器件
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