申请/专利权人：IMEC非营利协会

申请日：2023-11-14

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN118053740A

主分类号：H01L21/033

分类号：H01L21/033;H01L21/3213;H01L21/28;H01L29/66

优先权：["20221115 EP 22207408.0"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.17#公开

摘要：该方法应用三个硬掩模4，6，16的组合和掩模材料5，15的沉积，连同两个间隔物8，18的使用，来将经图案化特征3a‑3g之间的距离限定为低至几纳米。该方法的步骤被配置成在目标层3上产生最终硬掩模图案，其中最终硬掩模随后在单个蚀刻步骤中被转移到目标层，使得目标层被形成在其上的表面在所述最终转移之前不受任何工艺步骤的影响。这确保了图案特征下方的区域不受诸如等离子体蚀刻之类的工艺步骤的影响。因此，该方法非常适合于产生适用于量子点器件的紧密间隔开的特征的图案。

主权项：1.一种用于根据包括多个紧密间隔开的特征3a-3g的图案来图案化目标层3的方法，所述方法包括以下步骤：-在所述目标层3上产生第一经图案化硬掩模，所述第一经图案化硬掩模包括两个块4，所述两个块4具有由间隙间隔开的相互面对的侧壁，-在第一硬掩模的块4的所述侧壁上分别产生一对第一间隔物8，-此后，在所述目标层3上沉积第一层5掩模材料，并对所述层掩模材料和所述块4进行平坦化，以获得共同的平坦化表面，-在所述平坦化表面上产生第二经图案化硬掩模，所述第二经图案化硬掩模包括两个或更多个间隔开且相互平行的块6，所述块6相对于所述第一硬掩模的间隔开的块4横向地取向并且至少覆盖所述第一硬掩模的所述块4的相互面对的侧壁上的间隔物8之间的间隙d，-相对于所述第二经图案化硬掩模6、相对于所述第一经图案化硬掩模的块4和相对于所述第一间隔物8，去除所述第一层5掩模材料，使得多个第一掩模材料块7保留在所述第一硬掩模的块4之间，其中所述第一掩模材料块7由所述第一间隔物8来与所述第一硬掩模的块4分隔开，-去除所述第二硬掩模6，-相对于所述第一硬掩模的块4以及相对于所述第一掩模材料块7来选择性地去除所述第一间隔物8，使得在去除所述第一间隔物8之后，所述第一掩模材料块7与所述第一硬掩模的块4间隔开，-在所述第一硬掩模的块4的侧表面的暴露部分和所述多个第一掩模材料块7的侧表面的暴露部分上产生第二间隔物18，使得所述第二间隔物18填充所述第一掩模材料块7与所述第一硬掩模的块4之间的空间，-在所述目标层3上沉积第二层15掩模材料并平坦化所述第二层、所述第一硬掩模的块4和所述多个第一掩模材料块7，以获得共同平坦化表面，-在先前步骤中获得的平坦化表面上产生第三经图案化硬掩模，所述第三经图案化硬掩模包括覆盖至少所述多个第一掩模材料块7的块16，-相对于所述第三硬掩模16去除所述第二层15掩模材料，使得保留一个或多个第二掩模材料块17，所述第二块17由所述第二间隔物18来与所述第一硬掩模材料块7和所述第一硬掩模的块4分隔开，-去除所述第三硬掩模16，-相对于所述第一硬掩模的块4和第一和第二掩模材料块7，17来选择性地去除所述第二间隔物18，从而获得最终经图案化硬掩模，包括所述第一硬掩模的块4以及在两个横向方向中的一者或另一者上以对应于所述第一间隔物8或所述第二间隔物18的间距间隔开的所述第一和第二块7，17，-通过相对于所述最终硬掩模来去除所述目标层3的材料，将所述最终硬掩模的图案转移到所述目标层3，其中所述第一硬掩模的块4以及第一和第二掩模材料块7，17的转移导致所述多个紧密间隔开的特征3a-3g的形成，-去除所述最终硬掩模。

全文数据：

权利要求：

百度查询： IMEC非营利协会 用于产生紧密间隔开的特征的图案的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD