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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日：2023-12-19
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118055338A
主分类号：H04N25/77
分类号：H04N25/77;H04N25/57;H04N25/58
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明为一种高满阱大动态图像传感器像素结构及其工作方法，属于图像传感器技术领域。在传统4T像素结构中，通过像素级3D堆叠工艺，将光电二极管PD置于上芯片层，控制电路中增加复位晶体管、比较器以及计数器，置于下芯片层，在时序控制下，可扩展像素满阱容量，结合高电荷电压转换增益设计，可实现单次曝光高动态。曝光开始后，当光电二极管收集光生电子致使其电压低于比较器参考电压时，比较器翻转，触发复位管对光电二极管复位，同时计数器记录比较器翻转；曝光结束时，转移栅将光电二极管中的光生电子转移至浮空节点转换为电压信号并读出，同时读出比较器翻转次数。本发明能够避免强光照射引起的电荷溢出现象，提高芯片抗强光能力。
主权项：1.一种高满阱大动态图像传感器像素结构，其特征在于：该像素结构采用像素级3D堆叠的结构，将感光区与控制电路分别置于不同的芯片层，包括上芯片层和下芯片层；所述上芯片层设有光电二极管PD用于产生光生载流子；所述下芯片层包括复位晶体管RST1、复位晶体管RST2、传输晶体管TX、源极跟随器SF、行选通开关SEL1、行选通开关SEL2、比较器CMP以及计数器Counter；上芯片层和下芯片层通过键合实现电学互连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种高满阱大动态图像传感器像素结构及其工作方法
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