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申请/专利权人：北京理工大学长三角研究院(嘉兴);北京理工大学
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118055684A
主分类号：H10N50/10
分类号：H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01;H10B61/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提出了磁性存储器MagneticRandomAccessMemory，MRAM芯片核心器件磁隧道结MagneticTunnelJunction，MTJ的自由层的结构以及其制造方法。本发明提案的自由层由一层以上的铁磁性薄膜层以及夹在所述铁磁性薄膜层所有相邻层之间的耦合叠加层构成。信息写入时，铁磁性薄膜能够分别自旋反转，从而降低信息写入时的能量；同时，因为铁磁性薄膜层的耦合作用，使自由层还能保持很高的热稳定性。从而解决了当前基于MTJ的MRAM大规模应用的主要矛盾、即低信息写入能量与高热稳定性的矛盾。
主权项：1.一种用于磁存储芯片的磁隧道结，其特征在于：自由层由一层以上的铁磁性薄膜层以及夹在所述铁磁性薄膜层所有相邻层之间使相邻铁磁性薄膜层产生耦合的耦合叠加层构成；所述耦合叠加层由两层氧化物耦合层以及夹在所述两层氧化物耦合层之间的磁性插入层构成；所述铁磁性薄膜层都至少含有钴与铁的任一种元素；所述两层氧化物耦合层都为镁的氧化物以及含有铁、钴、镍、锌、硼中至少一种元素的镁的氧化物的任一种组成；所述磁性插入层中含有铁、钴、镍中至少一种元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京理工大学长三角研究院(嘉兴);北京理工大学 磁隧道结自由层、磁存储芯片、及其制造方法
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