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申请/专利权人：常州比太科技有限公司
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048620A
主分类号：C23C16/24
分类号：C23C16/24;C23C16/455;H01L31/20;H01L31/0747
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了异质结电池P型非晶硅薄膜制备方法、薄膜及应用，涉及太阳能电池制备技术领域，包括：将硅片置于载板上进入镀膜腔内，其中，所述镀膜腔沿入口至出口形成通道；设置镀膜腔的控制参数，并使得布置在镀膜腔一端的气泵工作，以在所述镀膜腔内形成一定向气流；所述载板在所述镀膜腔的通道上移动，同时在所述镀膜腔的多个位置上通入具有不同输入参数的特气，其中，特气包括硼烷、氢气、硅烷，输入参数包括硼烷、氢气、硅烷的比率、含量，电源功率，在定向气流下使得硅片在所述镀膜腔入口移动至出口的过程中通过离子沉积形成连续梯度掺杂的P型非晶硅薄膜，解决现有薄膜制备操作繁琐，且成本较高的问题。
主权项：1.一种异质结电池P型非晶硅薄膜制备方法，其特征在于，包括：将硅片置于载板上进入镀膜腔内，其中，所述镀膜腔沿入口至出口形成通道；设置镀膜腔的控制参数，并使得布置在镀膜腔一端的气泵工作，以在所述镀膜腔内形成一定向气流；所述载板在所述镀膜腔的通道上移动，同时在所述镀膜腔的多个位置上通入具有不同输入参数的特气，其中，特气包括硼烷、氢气、硅烷，输入参数包括硼烷、氢气、硅烷的比率、含量，电源功率，在定向气流下使得硅片在所述镀膜腔入口移动至出口的过程中通过离子沉积形成连续梯度掺杂的P型非晶硅薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州比太科技有限公司 异质结电池P型非晶硅薄膜制备方法、薄膜及应用
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