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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2024-04-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053748A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;G02B6/136
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种硅光器件的制造方法，采用等离子体刻蚀工艺刻蚀第二基底，以在稀疏区的第二基底中形成至少两个第一光波导，相邻的两个第一光波导之间具有第一凹槽，并在密集区的第二基底中形成至少两个第二光波导，相邻的两个第二光波导之间具有第二凹槽，第一光波导的密度小于第二光波导的密度，其中，在刻蚀第二基底时的偏置电压和腔室压强的比例为12‑15，如此，可以提高稀疏区和密集区的第二基底的刻蚀均匀性，从而使第一凹槽的侧壁和底部之间的夹角与第二凹槽和底部之间的夹角角度相同，提高硅光器件的性能。
主权项：1.一种硅光器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有密集区和稀疏区，所述衬底包括自下而上依次层叠的第一基底、埋氧层和第二基底；采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第二基底，以在所述稀疏区的所述第二基底中形成至少两个第一光波导，相邻的两个所述第一光波导之间具有第一凹槽，并在所述密集区的所述第二基底中形成至少两个第二光波导，相邻的两个所述第二光波导之间具有第二凹槽，所述第一光波导的密度小于所述第二光波导的密度，其中，在刻蚀所述第二基底时的偏置电压和腔室压强的比例为12-15，以使所述第一凹槽的侧壁和底部之间的夹角与所述第二凹槽和底部之间的夹角角度相同，所述偏置电压的单位为伏特，所述腔室压强的单位为毫托。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 硅光器件的制造方法
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