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申请/专利权人：株式会社电源大师
申请日：2022-09-14
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118056274A
主分类号：H01L23/46
分类号：H01L23/46;H01L23/36;H01L25/065
优先权：["20210914 KR 10-2021-0122488"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种双面冷却半导体装置和双面冷却半导体系统。双面冷却半导体装置可以包括：第一冷却结构和第二冷却结构，其包括导热性电绝缘层；第一内金属板，其形成在所述第二冷却结构的上表面上；第二内金属板，其形成在所述第一冷却结构的下表面上；第三内金属板，其形成在所述第一内金属板上，并支撑半导体芯片；金属块，其形成在所述半导体芯片上；以及第四内金属板，其形成在所述第二内金属板下方，并形成有插入所述金属块的金属块插入孔。
主权项：1.一种双面冷却半导体装置，包括：第一冷却结构和第二冷却结构，其包括导热性电绝缘层；第一内金属板，其形成在所述第二冷却结构的上表面上；第二内金属板，其形成在所述第一冷却结构的下表面上；第三内金属板，其形成在所述第一内金属板上，并支撑半导体芯片；金属块，其形成在所述半导体芯片上；以及第四内金属板，其形成在所述第二内金属板下方，并形成有插入所述金属块的金属块插入孔。
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皖公网安备 34010402703815号