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申请/专利权人：TCL科技集团股份有限公司
申请日：2022-11-09
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118055671A
主分类号：H10K71/40
分类号：H10K71/40;H10K71/12;H10K50/15;H10K50/155;H10K50/17
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本申请公开一种光电器件的制备方法、光电器件与电子设备，所述制备方法包括步骤：提供预制器件，所述预制器件包括固化的功能层，其中，功能层包括一个或多个膜层，对至少一个膜层进行可控退火深度的第一退火处理，有效避免退火工艺对下层膜的性能造成不利影响，尤其是下层膜的材料为热敏材料，并且确保膜层充分退火以提高膜层的性能，相较于常规方法制得的光电器件，采用所述制备方法制得的光电器件的光电性能和使用寿命更佳，最大亮度、最大电流效率以及器件寿命显著提升，将所述光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和使用寿命。
主权项：1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供预制器件，所述预制器件包括固化的功能层；其中，所述功能层包括一个或多个膜层，对至少一个所述膜层进行可控退火深度的第一退火处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： TCL科技集团股份有限公司 光电器件的制备方法、光电器件与电子设备
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