申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022-11-15
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118053773A
主分类号:H01L21/60
分类号:H01L21/60;H01L23/48;H01L23/482
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:一种半导体结构及其形成方法,结构包括:第一晶圆,所述第一晶圆包括第一衬底、以及位于所述第一衬底上的第一介电层;键合通孔,位于所述第一介电层中;第二晶圆,倒置键合于所述第一晶圆上,所述第二晶圆包括第二衬底、位于所述第二衬底上的第二介电层、以及凸立于所述第二介电层上的键合柱,所述键合柱与所述第二介电层为一体式结构,所述键合柱与所述键合通孔相对设置并将所述键合柱嵌套于所述键合通孔中、以及所述第一介电层与所述第二介电层相对设置并键合。提高了第一待键合晶圆和第二待键合晶圆之间的键合强度,从而提高了半导体结构的性能。
主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:第一晶圆,所述第一晶圆包括第一衬底、以及位于所述第一衬底上的第一介电层;键合通孔,位于所述第一介电层中;第二晶圆,倒置键合于所述第一晶圆上,所述第二晶圆包括第二衬底、位于所述第二衬底上的第二介电层、以及凸立于所述第二介电层上的键合柱,所述键合柱与所述第二介电层为一体式结构,所述键合柱与所述键合通孔相对设置并将所述键合柱嵌套于所述键合通孔中、以及所述第一介电层与所述第二介电层相对设置并键合。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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