申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2022-11-16
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN118055615A
主分类号:H10B41/35
分类号:H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27;H10B80/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要:本申请公开了一种半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统。所述方法包括:提供堆叠层,所述堆叠层包括交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层,所述堆叠层包括沿第一方向分布的核心区和外围区;形成贯穿所述堆叠层并沿所述第一方向延伸的栅缝隙,所述栅缝隙包括相连通的第一缝隙和第二缝隙,所述外围区包括所述第一缝隙,所述核心区包括所述第二缝隙,所述第一缝隙沿第二方向的宽度大于所述第二缝隙沿所述第二方向的宽度;至少在所述第一缝隙中形成隔离部。本申请能够在实现分隔存储块的同时,提高半导体器件的结构稳定性。
主权项:1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,所述方法包括:提供堆叠层,所述堆叠层包括交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层,所述堆叠层包括沿第一方向分布的核心区和外围区;形成贯穿所述堆叠层并沿所述第一方向延伸的栅缝隙,所述栅缝隙包括相连通的第一缝隙和第二缝隙,所述外围区包括所述第一缝隙,所述核心区包括所述第二缝隙,所述第一缝隙沿第二方向的宽度大于所述第二缝隙沿所述第二方向的宽度;至少在所述第一缝隙中形成隔离部。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制作方法、存储器及存储系统
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