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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日：2022-11-16
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048623A
主分类号：C23C16/458
分类号：C23C16/458;C23C16/505
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了一种气相沉积设备的承载组件及气相沉积设备，用于解决射频加热的气相沉积设备中，基片边缘温度过低导致的基片成膜不均匀问题，具体包括：能够接收射频辐射产生感应电流来加热基片的托盘主体，其上沿周向排布多个盘位用于放置基片；用于承载基片的圆盘形的子托盘，其可以活动放置于盘位上并绕子托盘的中心轴旋转；围绕子托盘设置有一环形台阶，其靠近子托盘的上表面配置为低于子托盘的上表面；贯穿托盘主体和环形台阶且可在高位和低位之间移动的升降销，其上表面至少部分的位于基片下，用于在取放基片时带动基片上下移动，本发明的气相沉积设备的承载组件及利用该承载组件的气相沉积设备能够提高基片表面不同区域的温度均一性。
主权项：1.一种气相沉积设备的承载组件，用于放置待处理的基片，其特征在于，包括：托盘主体，其上沿周向排布多个盘位，所述托盘主体能够接收射频辐射产生感应电流来加热所述基片，所述盘位上设置有气槽，通过所述托盘主体中的气道与驱动气源连接；圆盘形的子托盘，其可以活动放置于所述盘位上并绕所述子托盘的中心轴旋转，所述子托盘的上表面用于承载所述基片；围绕所述子托盘设置有一够接收射频辐射产生感应电流来加热所述基片的环形台阶，所述环形台阶与所述子托盘侧壁之间存在间隙，所述环形台阶靠近所述子托盘的上表面配置为低于所述子托盘的上表面；所述环形台阶设置于盖板上；贯穿所述托盘主体和环形台阶且可在高位和低位之间移动的升降销，所述升降销的上表面至少部分的位于所述基片下，用于在取放基片时带动基片上下移动。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种气相沉积设备的承载组件及气相沉积设备
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