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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日：2023-03-28
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118055616A
主分类号：H10B41/35
分类号：H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27
优先权：["20221116 US 63/425,683","20230315 US 18/184,078"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本公开提供一种集成电路结构及其制造方法，该集成电路结构包括衬底、多个半导体元件、层间介电结构、内连接结构、介电层、导电层、刻蚀阻挡层以及多个存储器单元。半导体元件位于衬底上。层间介电结构位于半导体元件上方。内连接结构位于层间介电结构中，且电性连接于半导体元件。介电层位于层间介电结构上方。刻蚀阻挡层位于介电层上。导电层位于刻蚀阻挡层上。存储器单元于垂直方向上堆叠于刻蚀阻挡层上方。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：多个半导体元件，位于一衬底上；一层间介电结构，位于所述多个半导体元件上方；一内连接结构，位于该层间介电结构中，且电性连接于所述多个半导体元件；一第一介电层，位于该层间介电结构上方；一刻蚀阻挡层，位于该第一介电层上；一导电层，位于该刻蚀阻挡层上；以及多个存储器单元，在一垂直方向上堆叠于该刻蚀阻挡层上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 旺宏电子股份有限公司 集成电路结构及其制造方法
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