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申请/专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日：2023-10-23
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053854A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;G01K13/00
优先权：["20221116 JP 2022-183256"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：一种半导体器件包括：包括晶体管的局部传感器，该局部传感器布置在半导体芯片中的测量目标区域附近，并且根据测量目标区域中的温度来输出晶体管的漏电流作为传感器信号；布置在半导体芯片上并且将来自局部传感器的传感器信号转换为数字计数值的转换电路；以及当在平面视图中观察时在半导体芯片中布置在局部传感器与转换电路之间的电路块。
主权项：1.一种半导体器件，包括：局部传感器，包括晶体管，所述局部传感器被布置在半导体芯片中的测量目标区域附近，并且根据所述测量目标区域中的温度来输出所述晶体管的漏电流作为传感器信号；转换电路，被布置在所述半导体芯片上，并且将来自所述局部传感器的所述传感器信号转换为数字计数值；以及电路块，当在平面视图中观察时在所述半导体芯片中被布置在所述局部传感器与所述转换电路之间。
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