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申请/专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日：2023-09-26
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053959A
主分类号：H01L33/38
分类号：H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62
优先权：["20221116 TW 111143777"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本发明公开一种发光元件，包含一第一半导体层以及一半导体台面位于第一半导体层上，其中第一半导体层包含一第一侧壁以及一第一半导体层第一表面环绕半导体台面，且半导体台面包含一第二侧壁；一第一反射结构，包含一第一反射部分覆盖第一侧壁以及一第二反射部分覆盖第二侧壁，其中第一反射部分与第二反射部分于发光元件的一俯视图下相连并构成一第一反射结构外侧开口以露出第一半导体层第一表面；一第一延伸电极，覆盖第一反射结构，并通过第一反射结构外侧开口接触第一半导体层第一表面；以及一第二反射结构，覆盖第一延伸电极并接触第一反射结构的第一反射部分。
主权项：1.一种发光元件，包含：半导体叠层，包含第一半导体层以及半导体台面位于该第一半导体层上，其中该第一半导体层包含第一侧壁以及第一半导体层第一表面环绕该半导体台面，该半导体台面包含第二侧壁，且该第一半导体层第一表面位于该第一侧壁与该第二侧壁之间；第一反射结构，包含第一反射部分覆盖该第一侧壁以及第二反射部分覆盖该第二侧壁，其中该第一反射部分与该第二反射部分于该发光元件的俯视图下相连并构成第一反射结构外侧开口以露出该第一半导体层第一表面；金属反射层，包含边缘位于该第二半导体层之上，并且为该第一反射结构所覆盖；第一延伸电极，覆盖该第一反射结构，并通过该第一反射结构外侧开口接触该第一半导体层第一表面；以及第二反射结构，覆盖该第一延伸电极并接触该第一反射结构的该第一反射部分，其中该第一延伸电极包含第一延伸电极凸部凸出于该金属反射层的该边缘，该第一延伸电极凸部包含第一区位于该第一反射结构及该第二反射结构之间以及第二区直接接触该露出的第一半导体层第一表面，且该第一区包含第一延伸电极第一宽度W1大于该第二区包含的第一延伸电极第二宽度W2，以及其中位于该第一延伸电极之下的该第一反射结构包含第一反射结构厚度，位于该第一延伸电极之上的该第二反射结构包含第二反射结构第一厚度，且该第一反射结构厚度小于该第二反射结构第一厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶元光电股份有限公司 发光元件
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