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申请/专利权人：辉达公司
申请日：2023-11-08
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118054898A
主分类号：H04L9/08
分类号：H04L9/08;H04L9/32
优先权：["20221116 US 18/056,158"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了使用双互锁和纠错技术的物理不可克隆单元，具体公开了利用双互锁方案的PUF单元在不同的VT条件下以及在嘈杂环境中的不同使用时间内，表现出改进的抗噪性和稳定性。PUF单元可以有利地与筛选出不稳定单元的检错技术结合利用。利用一组这样的PUF单元生成特定于设备的位模式，例如主密钥。
主权项：1.一种电路，包括：至少一个电源；以及物理不可克隆功能PUF单元，所述PUF单元包括双互锁反相器布置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 辉达公司 使用双互锁和纠错技术的物理不可克隆单元
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