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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2023-12-06
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053901A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L23/552;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了一种宽禁带半导体器件及制备方法，该宽禁带半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的外延层；位于衬底与外延层之间的P型层；其中，P型层中具有空穴，当单粒子入射到该宽禁带半导体器件中后，外延层中会产生大量的非平衡载流子，从而产生极高的电流脉冲，P型层中的空穴会消耗外延层产生的非平衡载流子，从而降低电流脉冲的强度，进一步的抑制单粒子烧毁效应的发生。
主权项：1.一种宽禁带半导体器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件包括：衬底；位于所述衬底一侧的外延层；位于所述衬底与所述外延层之间的P型层；其中，所述P型层中具有空穴，所述空穴用于在单粒子入射至所述宽禁带半导体器件时，消耗由所述外延层产生的非平衡载流子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种宽禁带半导体器件及制备方法
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皖公网安备 34010402703815号