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申请/专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日：2023-11-30
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118046055A
主分类号：B23K1/00
分类号：B23K1/00;B23K1/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种Sn‑Ag‑Cu钎料凸点互连芯片及其制备方法和应用，该方法包括在第一键合片的第一铜柱结构上依次沉积纳米孪晶Ni层和择优取向纳米孪晶Cu层；在择优取向纳米孪晶Cu层表面沉积Sn‑Ag钎料凸点；对完成上述步骤的第一键合片进行一次加热回流，形成Sn‑Ag‑Cu钎料凸点结构；将Sn‑Ag‑Cu钎料凸点结构与第二键合片接触设置，并进行二次加热回流，制的所述Sn‑Ag‑Cu钎料凸点互连芯片。该方法工艺简单、成本低廉，有效得到择优取向金属间化合物的Sn‑Ag‑Cu钎料凸点互连芯片，有效提高铜柱凸点互连芯片的可靠性，并与现有半导体及封装工艺兼容性好，工艺简单，成本低，适合大规模生产。
主权项：1.一种Sn-Ag-Cu钎料凸点互连芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在第一键合片的第一铜柱结构上依次沉积纳米孪晶Ni层和择优取向纳米孪晶Cu层；S2：在所述择优取向纳米孪晶Cu层表面沉积Sn-Ag钎料凸点；S3：对完成步骤S2的第一键合片进行一次加热回流，形成Sn-Ag-Cu钎料凸点结构；S4：将所述Sn-Ag-Cu钎料凸点结构与第二键合片接触设置，并进行二次加热回流，制的所述Sn-Ag-Cu钎料凸点互连芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海天成先进半导体科技有限公司 一种Sn-Ag-Cu钎料凸点互连芯片及其制备方法和应用
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