龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：深圳市新凯来工业机器有限公司
申请日：2024-01-03
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053913A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L21/34
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。薄膜晶体管包括设置在基底上的源极、漏极、栅极、沟道层和栅介质层。沿基底的厚度方向，源极和漏极位于栅介质层的一侧，栅极位于栅介质层的另一侧，并且栅介质层位于沟道层和栅极之间。其中，沟道层的至少部分位于源极和漏极之间，沟道层与源极和漏极相连。沟道层为金属氧化物掺杂氟离子或等离子体形成具有降低O空位缺陷、降低陷阱态的阻氢膜层。本申请的薄膜晶体管可以解决器件中缺陷、氢扩散等影响薄膜晶体管的偏压稳定性的问题。
主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置在基底上的源极、漏极、栅极、沟道层和栅介质层；沿所述基底的厚度方向，所述源极和所述漏极位于所述栅介质层的一侧，所述栅极位于所述栅介质层的另一侧，并且所述栅介质层位于所述沟道层和所述栅极之间，其中，所述沟道层的至少部分位于所述源极和所述漏极之间，所述沟道层与所述源极和所述漏极相连；所述沟道层为金属氧化物掺杂氟离子或等离子体形成具有降低O空位缺陷、降低陷阱态的阻氢膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市新凯来工业机器有限公司 薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号