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【发明公布】一种固液掺杂共沉淀制备W-Cu复合材料的方法_合肥工业大学_202410153399.0 

申请/专利权人:合肥工业大学

申请日:2024-02-02

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118048566A

主分类号:C22C27/04

分类号:C22C27/04;C22C1/04;B22F1/00;B22F9/24;B22F3/03;B22F3/10

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:一种固液掺杂共沉淀制备W‑Cu复合材料的方法,涉及W‑Cu复合材料制备技术领域。本发明利用固液掺杂共沉淀法并通过添加草酸作为过程控制剂改变前驱体溶液环境,使得草酸与W、Cu充分反应进而提高前驱体粉末纯度,有利于通过氢气还原制备出成分均匀、氧含量低且粒径分散性好的W‑Cu粉体,一方面氢气可有效去除W‑Cu粉体中残留的氧杂质,另一方面长的高温保温时间使得W、Cu元素充分扩散,最后通过模压成型和高温氢气烧结制备出高致密度的W‑Cu复合块体。本发明将之前湿化学法惯用的液液掺杂工艺改进为固液掺杂工艺,并且固液掺杂共沉淀法制备的W‑Cu复合块体在性能方面优于同种工艺参数下的液液、固固掺杂法。

主权项:1.一种固液掺杂共沉淀制备W-Cu复合材料的方法,其特征在于,步骤如下:步骤一:W-Cu粉体的制备将一定比例的偏钨酸铵或者氧化钨、硝酸铜或者氧化铜、草酸分别溶解去离子水中,控制前驱体溶液固含量在20%-30%;将溶液搅拌加热,待溶液完全蒸发后利用烘干箱设备制备W-Cu前驱体;接着,将W-Cu前驱体充分研磨过筛后氢气还原,得到W-Cu粉体;选择偏钨酸铵和氧化铜组合时,氧化铜的添加量为偏钨酸铵质量的15-20%,草酸的添加量为偏钨酸铵质量的35-40%;选择氧化钨和硝酸铜组合时,硝酸铜的添加量为氧化钨质量的58-63%,草酸的添加量为氧化钨质量的38-43%;步骤二:无成形剂模压成型将步骤一制备的W-Cu粉体按照所压制样品的大小要求称取一定量装在钢压模具中冷压成型,随后卸除压力将W-Cu生坯块体取出;步骤三:高温氢气烧结将步骤二得到无成形剂且压制力较低的高密度生坯在相同的烧结温度下进行致密化过程,得到W-Cu复合块体;最后对得到的块体表面打磨处理,得到W-Cu复合材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥工业大学 一种固液掺杂共沉淀制备W-Cu复合材料的方法

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