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【发明公布】一种高疏水性强附着透明导电柔性膜_电子科技大学_202410306997.7 

申请/专利权人:电子科技大学

申请日:2024-03-18

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN118053613A

主分类号:H01B5/14

分类号:H01B5/14

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开

摘要:本发明属于薄膜材料及光电显示领域,具体为一种高疏水性强附着透明导电柔性膜。本发明在柔性衬底上制备纳米线透明导电膜层后,再制备一层陶瓷类透明导电膜层,构成两者的复合膜层,从而形成复合膜层与柔性基底的二维平面全接触,增加附着力;且陶瓷类透明导电膜不进行退火晶化,以适合柔性场景使用;而复合膜层的导电能力由电阻更低的金属纳米线材料决定,同时表面镀膜将陶瓷类透明导电材料颗粒填入了纳米线间的间隙,扩展了导电通路,降低了方块电阻;陶瓷类透明导电膜层本身较低的表面能辅以表面的纳米线型微纳结构,使得整体透明导电膜的表面具有高疏水性。本发明适用于柔性显示、可穿戴设备等柔性电子器件的触摸屏。

主权项:1.一种高疏水性强附着透明导电柔性膜,其特征在于:从下到上依次为柔性基底、纳米线透明导电膜层和陶瓷类透明导电膜层;所述柔性基底为高透明性柔性材料;所述纳米线透明导电膜层是制备在柔性基底上的金属纳米线;所述陶瓷类透明导电膜层是在柔性基底上的纳米线透明导电膜层制备完成后,在纳米线透明导电膜层的表面侧直接在其上沉积5nm~150nm厚度的陶瓷类透明导电膜,且陶瓷类透明导电膜不进行退火晶化,陶瓷类透明导电膜层比纳米线透明导电膜层的电阻高。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学 一种高疏水性强附着透明导电柔性膜

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