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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053759A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/265
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种轻掺杂漏区的形成方法，重新出版各器件中阈值电压最小的器件的轻掺杂漏区光罩，轻掺杂漏区光罩作为轻掺杂工艺中的首层光罩，其用于定义出各器件的共源注入区；在对各器件进行离子注入时，形成覆盖各器件的光刻胶层，利用首层光罩打开各器件轻掺杂漏区上的光刻胶层，之后进行所有器件的共源离子注入，去除剩余的光刻胶层；调整之后离子注入的剂量，利用多次离子注入使得各器件中轻掺杂漏区的掺杂浓度为所需值。本发明能够在不增加光刻层次和额外花费的情况下，提高产能，且离子注入总量减少，轻掺杂漏区表面整体情况变好，从而提高器件性能。
主权项：1.一种轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、重新出版各器件中阈值电压最小的所述器件的轻掺杂漏区光罩，所述轻掺杂漏区光罩作为轻掺杂工艺中的首层光罩，其用于定义出各所述器件的共源注入区；步骤二、在对各所述器件进行离子注入时，形成覆盖各所述器件的光刻胶层，利用所述首层光罩打开各所述器件轻掺杂漏区上的所述光刻胶层，之后进行所有所述器件的共源离子注入，去除剩余的所述光刻胶层；步骤三、调整之后离子注入的剂量，利用多次离子注入使得各所述器件中所述轻掺杂漏区的掺杂浓度为所需值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 轻掺杂漏区的形成方法
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