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申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118048689A
主分类号：C30B29/36
分类号：C30B29/36;C30B35/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和生长方法，该生长装置包括坩埚和保温机构，该坩埚具有一腔室，腔室被配置为具有相互连通的晶体生长区和原料堆放区，原料堆放区位于晶体生长区和坩埚的底壁之间；保温机构套设于坩埚的外部，且沿坩埚的周向围绕晶体生长区设置，保温机构可向靠近坩埚的底壁的方向移动。该生长装置和方法能够进行轴向和径向的温度梯度调控，进而提高碳化硅晶体质量，降低单晶内应力，还能为大直径单晶生长创造条件。
主权项：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚100，具有一腔室，所述腔室被配置为具有相互连通的晶体生长区111和原料堆放区102，所述原料堆放区102位于所述晶体生长区111和所述坩埚100的底壁之间；以及，保温机构200，套设于所述坩埚100的外部，且沿所述坩埚100的周向围绕所述晶体生长区111设置，所述保温机构200可向靠近所述坩埚100的底壁的方向移动。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 碳化硅晶体生长装置和生长方法
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