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申请/专利权人：富士电机株式会社
申请日：2023-04-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118056280A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868
优先权：["20220427 JP 2022-073381"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具有：半导体基板，其具有上表面和下表面，并具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置于所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，且第一导电型的缓冲区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度，所述缓冲区具有：第一复合中心密度峰；以及第二复合中心密度峰，其配置在比所述第一复合中心密度峰更靠所述半导体基板的所述上表面侧的位置，所述第二复合中心密度峰在深度方向上的积分值大于所述第一复合中心密度峰在深度方向上的积分值。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并具有第一导电型的漂移区；以及第一导电型的缓冲区，其设置于所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，且所述第一导电型的缓冲区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度，所述缓冲区具有：第一复合中心密度峰；以及第二复合中心密度峰，其配置在比所述第一复合中心密度峰更靠所述半导体基板的所述上表面侧的位置，所述第二复合中心密度峰在深度方向上的积分值大于所述第一复合中心密度峰在深度方向上的积分值。
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