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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2018-05-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN110544693B
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2019.12.31#实质审查的生效;2019.12.06#公开
摘要：本发明实施例公开了一种半导体存储单元的制造方法及半导体存储单元。制造方法包括：提供基板，基板包括位线和位线隔离结构，位线隔离结构之间形成电容接触槽，电容接触槽下方的基板中包括浅沟道隔离结构和分别设置在其两侧的漏极，漏极的上表面形成漏极的第一基准面；在基板一侧表面上形成第一隔离牺牲层，第一隔离牺牲层在位线隔离结构的侧面处的厚度小于漏极的第一基准面的宽度；自第一隔离牺牲层的上表面向下刻蚀，以去除在位线隔离结构的上表面、浅沟道隔离结构的上表面和在部分第一基准面上的第一隔离牺牲层，藉以保留在位线隔离结构的侧面处的第一隔离牺牲层，去除部分浅沟道隔离结构和部分漏极，以在漏极处形成第一台阶。
主权项：1.一种半导体存储单元的制造方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括多条位线和覆盖在所述位线表面的位线隔离结构，所述位线隔离结构之间形成电容接触槽，所述电容接触槽下方的所述基板中包括浅沟道隔离结构和分别设置在所述浅沟道隔离结构两侧的漏极，所述漏极的上表面形成漏极的第一基准面；在所述基板具有所述位线的一侧表面上形成第一隔离牺牲层，以覆盖所述漏极的第一基准面、所述位线隔离结构的侧面和上表面以及所述浅沟道隔离结构的上表面，其中，所述第一隔离牺牲层在所述位线隔离结构的侧面处的厚度小于所述漏极的第一基准面的宽度；自所述第一隔离牺牲层的上表面向下刻蚀，以去除在所述位线隔离结构的上表面、在所述浅沟道隔离结构的上表面和在部分所述漏极的第一基准面上的所述第一隔离牺牲层，藉以保留在所述位线隔离结构的侧面处的所述第一隔离牺牲层，以及进一步刻蚀以去除部分所述浅沟道隔离结构和部分所述漏极，以在保留的第一隔离牺牲层下方的所述漏极处形成第一台阶，其中，所述第一台阶的底缘具有低于所述漏极的第一基准面的第二基准面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体存储单元的制造方法及半导体存储单元
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