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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2019-05-24
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111987158B
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开
摘要：本公开提出一种沟槽阵列晶体管结构及其制备方法，涉及集成电路制造技术领域。沟槽阵列晶体管结构包括衬底基板、沟槽及栅极氧化层。衬底基板具有有源区，其中，所述有源区内设置源极和漏极。沟槽位于所述衬底基板内穿过所述有源区，包括底部、侧壁、第一延伸部及第二延伸部，其中，第一延伸部位于所述侧壁上部的靠近所述源极的一侧，第二延伸部位于所述侧壁上部靠近所述漏极的一侧。栅极氧化层覆盖所述沟槽的所述底部、所述侧壁、所述第一延伸部及所述第二延伸部。本公开提供的技术方案能够有效改善沟槽阵列晶体管容易产生漏电流问题。
主权项：1.一种沟槽阵列晶体管结构，其特征在于，包括：衬底基板具有有源区，其中，所述有源区内设置源极和漏极；沟槽，位于所述衬底基板内穿过所述有源区，包括底部、侧壁、第一延伸部及第二延伸部，其中，第一延伸部位于所述侧壁上部的靠近所述源极的一侧，第二延伸部位于所述侧壁上部靠近所述漏极的一侧；栅极氧化层，覆盖所述沟槽的所述底部、所述侧壁、所述第一延伸部及所述第二延伸部；导电层，位于所述沟槽内，所述导电层的顶面与所述延伸部内的所述栅极氧化层的底端齐平；填充绝缘层，位于所述沟槽内的所述导电层的上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 沟槽阵列晶体管结构及其制备方法
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