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申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日：2021-12-27
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114267764B
主分类号：H01L33/44
分类号：H01L33/44;H01L33/22;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.04.19#实质审查的生效;2022.04.01#公开
摘要：本发明公开一种高出光效率的深紫外LED及其制备方法，其中，高出光效率的深紫外LED包括深紫外倒装LED；设置在深紫外倒装LED的蓝宝石衬底的出光面上的介质层，介质层采用硬度比蓝宝石低的材质制成，且介质层的出光面为经过粗化处理的出光面。本发明虽然在深紫外倒装LED上增设介质层，增加了深紫外倒装LED的厚度，但是，由于增设的介质层设在蓝宝石衬底的出光面上，且介质层的出光面经过粗化处理，使得深紫外倒装LED即使厚度增大，其出光效率也能够得到进一步提高；而且，由于介质层的硬度比蓝宝石低，其粗化难度和成本均得到降低。
主权项：1.高出光效率的深紫外LED，其特征在于，包括：深紫外倒装LED；设置在所述深紫外倒装LED的蓝宝石衬底的出光面上的介质层，所述介质层采用硬度比蓝宝石低的材质制成，且所述介质层的出光面为经过粗化处理的出光面；和设在所述深紫外倒装LED的p电极的背离所述蓝宝石衬底的表面的金属反射层；其中，出光面上的介质层是在深紫外倒装LED的n电极和p电极制备之前通过沉积形成，且在p电极上制备所述金属反射层之后，还对n电极和p电极进行了退火处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省科学院半导体研究所 高出光效率的深紫外LED及其制备方法
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