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申请/专利权人：北京大学;中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
申请日：2022-07-11
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN115148585B
主分类号：H01L21/265
分类号：H01L21/265;H01L21/66;G01K7/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.10.04#公开
摘要：本发明公开了一种基于离子注入掺杂SiC晶片的高温测量方法，属于测量测试技术领域。该方法采用离子注入掺杂的SiC晶体作为测温元件，在经历测温环境的高温处理后，对SiC晶体做二次离子质谱分析，得到其中杂质分布的浓度‑深度曲线，通过余误差函数拟合曲线的尾部，得到与其对应扩散浓度曲线，将扩散浓度曲线的左端点的浓度值，作为特征扩散浓度N，建立特征扩散浓度N随温度变化的标准参照数据和曲线，该测温元件测温时，可以对照标准参照曲线，利用插值法确定特征扩散浓度N对应的温度值，实现测温。本发明有效地解决高温1700℃以上测量难的问题，可以应用在航空、航天发动机的测温领域。
主权项：1.一种基于离子注入掺杂SiC晶片的高温测量方法，其特征在于，包括如下步骤：1）离子注入SiC晶片正面，SiC晶片中掺入的离子为具有扩散行为的离子；2）将掺杂的SiC晶片切割为若干个SiC晶片颗粒；3）上述SiC晶片颗粒分别在不同温度下，利用SIMS分析得到杂质浓度-深度曲线，通过余误差函数拟合曲线的尾部，得到与其对应扩散浓度曲线，将扩散浓度曲线的左端点的浓度值，作为特征扩散浓度N，建立特征扩散浓度N随温度变化的标准参照数据表,根据所述标准参照数据表画出曲线，形成标准参照曲线；4）将SiC晶片颗粒作为测温元件布置在测温环境中，经历高温之后，将SiC晶片颗粒从高温环境中取出；5）对上述测温元件进行正面表层的SIMS分析，得到其杂质浓度-深度曲线；6）提取步骤5）中的杂质浓度-深度曲线的特征扩散浓度值N，对照标准参照数据表，利用插值方法，提取特征扩散浓度值N对应的温度,得到测量的温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学;中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 一种基于离子注入掺杂SiC晶片的高温测量方法
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