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【发明授权】阵列式薄膜温差传感器及其制备方法_清华大学_202210920531.7 

申请/专利权人:清华大学

申请日:2022-08-02

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN115200729B

主分类号:G01K3/08

分类号:G01K3/08;G01K7/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.17#授权;2022.11.04#实质审查的生效;2022.10.18#公开

摘要:本发明公开一种阵列式薄膜温差传感器及其制备方法,阵列式薄膜温差传感器包括基片、正极敏感层及负极敏感层,正极敏感层包括第一正极、第二正极、第三正极及第四正极,负极敏感层包括第一负极、第二负极以及第三负极,第一正极一端与第一负极一端通过第一热结点连接,第二正极一端与第二负极一端通过第二热结点连接,第一负极另一端、第三负极一端均与第三正极一端通过第三热结点连接,第二负极另一端、第三负极另一端均与第四正极一端通过第四热结点连接,第一正极另一端与第三正极另一端分别形成第一测试端与第三测试端,第二正极另一端与第四正极另一端分别形成第二测试端与第四测试端。本发明能用于判断酸碱管道温度均匀性,测试可靠性高。

主权项:1.一种阵列式薄膜温差传感器,其特征在于,包括基片以及位于所述基片上的正极敏感层和负极敏感层;所述正极敏感层包括第一正极、第二正极、第三正极以及第四正极,所述负极敏感层包括第一负极、第二负极以及第三负极,所述第一正极的一端与所述第一负极的一端通过第一热结点连接,所述第二正极的一端与所述第二负极的一端通过第二热结点连接,所述第一负极的另一端、所述第三负极的一端均与所述第三正极的一端通过第三热结点连接,所述第二负极的另一端、所述第三负极的另一端均与所述第四正极的一端通过第四热结点连接,所述第一正极的另一端与所述第三正极的另一端相对设置且分别形成第一测试端与第三测试端,所述第二正极的另一端与所述第四正极的另一端相对设置且分别形成第二测试端与第四测试端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 清华大学 阵列式薄膜温差传感器及其制备方法

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