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【发明授权】沟槽阵列晶体管结构及其制备方法_长鑫存储技术有限公司_201910438272.2 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2019-05-24

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN111987142B

主分类号:H01L29/06

分类号:H01L29/06;H01L21/768

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.17#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要:本公开提出一种沟槽阵列晶体管结构及其制备方法,涉及集成电路制造技术领域。沟槽阵列晶体管结构的制备方法包括通过刻蚀在具有源区的衬底基板内形成沟槽;通过第一次氧化在沟槽的底部及侧壁形成氧化层;通过沉积在沟槽内填充绝缘层;通过刻蚀部分去除绝缘层暴露位于沟槽的侧壁上部的氧化层;通过第二次氧化侧壁上部暴露的氧化层延伸形成氧化层延伸部。本公开提供的技术方案能够有效改善沟槽阵列晶体管容易产生漏电流问题。

主权项:1.一种沟槽阵列晶体管结构的制备方法,其特征在于,包括:通过刻蚀在具有有源区的衬底基板内形成沟槽;通过第一次氧化在所述沟槽的底部及侧壁形成氧化层;通过沉积在所述沟槽内填充绝缘层;通过刻蚀部分去除所述绝缘层暴露位于所述沟槽的侧壁上部的所述氧化层;通过第二次氧化所述侧壁上部暴露的所述氧化层延伸形成氧化层延伸部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 沟槽阵列晶体管结构及其制备方法

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