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申请/专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日：2019-10-12
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN110600469B
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：["20190701 CN 2019105826881"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2020.10.02#实质审查的生效;2020.02.18#著录事项变更;2019.12.20#公开
摘要：本发明公开了一种新型的降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与P型杂质扩散区相连，N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。本发明通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型的降低正向残压的单向保护器件。
主权项：1.一种降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片构成的N型衬底区301，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区302和推结较深的N型扩散区305，在推结较深的P型扩散区302有推结较浅的N型杂质扩散区304和P型杂质扩散区303，推结较深的N型扩散区305通过金属与P型杂质扩散区303相连，N型杂质扩散区304通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区309和推结较浅的P型杂质扩散区307，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出；其中，内部集成了PNPN结构器件，由所述推结较浅的P型杂质扩散区307、N型衬底区301、推结较深的P型扩散区302、N型扩散区304构成；并且推结较浅的P型杂质扩散区307、N型衬底区301通过背面金属相连，形成阳极短路的PNPN结构；所述PNPN结构的门极，即推结较深的P型扩散区302，通过金属与N型衬底区相连；内部集成了PN结构器件D1，由所述推结较深的P型扩散区302、推结较浅的N型杂质扩散区304构成；从背面到正面看，推结较深的N型扩散区309、N型衬底区301、推结较深的N型扩散区305形成电阻R2，与PN结串联后到达正面阴极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海维安半导体有限公司 一种新型降低正向残压的单向保护器件
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