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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2019-11-11
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111524874B
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00
优先权：["20190201 US 62/800,387","20190425 US 16/394,924"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2020.08.11#公开
摘要：公开用于半导体光刻套准的测试结构和评估方法。所述方法使用包括传感器结构和通孔链结构的测试结构。传感器结构设置在半导体基底上的第一层中，并且包括沿第一方向延伸的多条第一导线。每条第一导线沿第二方向与相邻的第一导线隔开第一间隔。通孔链结构位于第一层上方的第二层中以及第一层与第二层之间。通孔链结构包括设置在第二层中的至少一条第二导线以及电连接到每条第二导线并朝向第一层延伸的至少一个通孔。所述至少一个通孔设置在传感器结构的相邻的第一导线之间的第一间隔中。
主权项：1.一种用于检测半导体器件的套准未对准的测试结构，所述测试结构包括：传感器结构，设置在半导体基底上的第一层中，传感器结构包括沿第一方向延伸的多条第一导线，每条第一导线沿第二方向与相邻的第一导线隔开第一间隔，第二方向垂直于第一方向；以及通孔链结构，位于第一层上方的第二层中并且在第一层与第二层之间，通孔链结构包括设置在第二层中的至少一条第二导线以及电连接到每条第二导线并朝向第一层延伸的至少一个通孔，所述至少一个通孔设置在传感器结构的相邻的第一导线之间的第一间隔中，其中，传感器结构包括两条第一导线，其中，通孔链结构还包括：多个第一导电段，在传感器结构的相邻的第一导线之间的第一间隔中被设置在第一层中，其中，所述至少一条第二导线包括多个第二导电段，其中，所述至少一个通孔将所述多个第一导电段电连接到所述多个第二导电段，其中，所述测试结构还包括多个传感器结构和多个通孔链结构，每个传感器结构与对应的通孔链结构配对，其中，第一对包括通孔链结构的至少一个通孔，所述通孔链结构居中于第一对的传感器结构的两条第一导线之间，并且其中，第二对包括通孔链结构的至少一个通孔，所述通孔链结构相对于第二对的传感器结构的两条第一导线之间的居中位置沿第二方向偏移不为零的第一预定距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体光刻套准的测试结构和评估方法
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