申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2020-06-23

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN111725108B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;C23C16/54;C23C16/455

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2020.10.27#实质审查的生效;2020.09.29#公开

摘要：本发明公开一种半导体加工设备，包括：反应腔室；工艺管，工艺管的至少部分处于反应腔室内；工艺管具有容置部、进气部和出气部，进气部具有进气口，出气部具有出气口，工艺管开设有多个进气孔和多个出气孔，多个进气孔和多个出气孔在工艺管的轴线方向间隔分布，且进气孔连通进气部与容置部，出气孔连通容置部与出气部。本方案能够解决现有的半导体加工设备中，提升反应腔室内的气体均匀性的效果较差的问题。

主权项：1.一种半导体加工设备，其特征在于，包括：反应腔室（100）；工艺管（200），所述工艺管（200）的至少部分处于所述反应腔室（100）内；所述工艺管（200）具有容置部（210）、进气部（220）和出气部（230），所述进气部（220）具有进气口（221），所述出气部（230）具有出气口（231），所述工艺管（200）开设有多个进气孔（240）和多个出气孔（250），多个所述进气孔（240）和多个所述出气孔（250）在所述工艺管（200）的轴线方向间隔分布，且所述进气孔（240）连通所述进气部（220）与所述容置部（210），所述出气孔（250）连通所述容置部（210）与所述出气部（230）；所述进气孔（240）在远离所述进气口（221）的位置上分布的密度大于所述进气孔（240）在靠近所述进气口（221）的位置上分布的密度；在远离所述进气口（221）的方向上，所述进气孔（240）的直径逐渐增大；所述工艺管（200）包括工艺管主体（260）、第一槽状结构件（270）和第二槽状结构件（280）；所述第一槽状结构件（270）和所述第二槽状结构件（280）设置于所述工艺管主体（260）的侧壁上，且所述工艺管主体（260）的侧壁的内部空间为所述容置部（210），所述工艺管主体（260）的侧壁上开设有所述进气孔（240）和所述出气孔（250），所述第一槽状结构件（270）与所述工艺管主体（260）的侧壁形成所述进气部（220）；且所述第二槽状结构件（280）与所述工艺管主体（260）的侧壁形成所述出气部（230）；所述第一槽状结构件（270）和所述第二槽状结构件（280）设置于所述工艺管主体（260）相对的两侧，在垂直于所述工艺管（200）的轴线的截面上，所述第一槽状结构件（270）和所述第二槽状结构件（280）的槽壁均为弧形结构件；在远离所述进气口（221）的方向上，相邻两个所述进气孔（240）之间的间距逐渐减小；所述进气孔（240）与所述出气孔（250）相对设置；所述进气孔（240）在所述进气部（220）内呈多列分布，每一列所述进气孔（240）均沿着所述工艺管（200）的轴线方向设置；所述出气孔（250）在所述出气部（230）内呈多列分布，每一列所述出气孔（250）均沿着所述工艺管（200）的轴线方向设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备

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