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申请/专利权人：中国科学技术大学
申请日：2020-11-11
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN112401865B
主分类号：A61B5/0536
分类号：A61B5/0536
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.03.16#实质审查的生效;2021.02.26#公开
摘要：一种基于超形状的电阻抗成像方法，包括以下步骤：建立完备电极模型，通过有限元方法求解得到观测模型；利用超形状表达基本单元；利用超形状表达拓扑描述函数；对超形状进行布尔运算；基于超形状表示与布尔运算相结合的形状重构算法；执行重构算法，进行图像重构，以实现基于超形状的电阻抗成像。本发明所提出的算法可以通过同一表达式表示不同形状的物体，同时可以重建得到多相、内嵌等复杂形状，并且对电阻抗成像中普遍存在的模型误差、测量噪音等具有很好的鲁棒性。
主权项：1.一种基于超形状的电阻抗成像方法，其特征在于，包括以下步骤：建立完备电极模型，通过有限元方法求解得到观测模型；其中，所述完备电极模型如下所示： 其中，σx为电导率分布，x∈Ω为空间坐标，zl为接触阻抗，Ul和Il分别为电极el上的电压和电流，n表示外单位法向；利用超形状表达基本单元；其中，所述超形状通过利用几何参数来描述基本单元的形状和大小，表达如下： 其中，q表示超形状边界上的点，q0表示超形状的中心点坐标，θ∈[-π，π]，η＝q0，s，m，a，b，n1，n2，n3，φ表示由基本单元的几何参数所组成的向量，s为缩放系数，参数m控制旋转对称，参数n1，n2，n3用于控制边界曲率，a，b控制超形状的大小，φ表示超形状的旋转角度；利用超形状表达拓扑描述函数；其中，所述利用超形状表达拓扑描述函数步骤中，所述拓扑描述函数定义如下：fx，η＝μx·|dx，η|＝μx·||x-qθ*，η||；其中，μx为符号函数，当区域内的点位于超形状内部时，μx＝1；当区域内的点位于超形状外部时，μx＝-1；当区域的点位于超形状边界上时，μx＝0；|dx，η|表示区域内的点x到由几何参数η所表达的超形状的边界点的最短距离，qθ*，η表示相应的边界点，其中θ*表示最近边界点所对应的参数角度，可由计算得到；对超形状进行布尔运算；基于超形状表示与布尔运算相结合的形状重构算法；执行重构算法，进行图像重构，以实现基于超形状的电阻抗成像。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 基于超形状的电阻抗成像方法
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