龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日：2020-11-05
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN112435921B
主分类号：H01L21/268
分类号：H01L21/268;H01L21/324;H01L21/331
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.11.19#著录事项变更;2021.03.19#实质审查的生效;2021.03.02#公开
摘要：本发明涉及一种功率器件的激光退火方法，在退火过程中，使用短波长激光和长波长激光进行退火激活，短波长激光的波长范围是300nm‑560nm，长波长激光的波长范围是780nm‑1064nm；通过选择不同波长的激光混合配置使用，实现不同的熔化范围和杂质分布深度范围的离子退火和多层杂质离子的注入退火，同时综合考虑根据不同类型晶圆的耐温性和抗碎片能力，选择合适波长的激光混合配置使用，以实现不同的热预算条件下的浅表面激活。本发明提供一种功率器件的激光退火方法和激光退火系统，利用激光退火控制杂质激活效率、杂质分布、以及避免激光退火过程中因过高热导致的热积累而碎片的技术问题。
主权项：1.一种功率器件的激光退火方法，其特征在于，在退火过程中，使用短波长激光和长波长激光进行退火激活，其中短波长激光的波长范围是300nm-560nm，所述长波长激光的波长范围是780nm-1064nm；通过选择不同波长的激光混合配置使用，实现不同的熔化范围和杂质分布深度范围的离子退火和多层杂质离子的注入退火，同时综合考虑根据不同类型晶圆的耐温性和抗碎片能力，选择合适波长的激光混合配置使用，以实现不同的热预算条件下的浅表面激活；所述功率器件为场截止FS-IGBT器件或逆导型RC-IGBT器件，在制备过程中，先仅采用低能注入N型杂质使N型杂质聚集在晶圆的浅表面；在激活过程中，执行以下操作：利用短波长激光能量积聚在晶圆表面的特点，使表面发生熔化，以将低能注入的、聚集在晶圆浅表面的杂质离子通过激光退火实现浅表面以下的再分布，借以取代中高能注入；利用长波长激光吸收深度较深的特点，实现非熔化退火和深度范围内的退火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京华卓精科科技股份有限公司 一种功率器件的激光退火方法和激光退火系统
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号