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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2020-12-24
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114665970B
主分类号：H04B10/50
分类号：H04B10/50;H04B10/516;G02F1/015;G02F1/025
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.07.12#实质审查的生效;2022.06.24#公开
摘要：本申请实施例公开了一种光调制器，应用于光通信领域。该光调制器包括：波导和多个移相器段。其中，多个移相器段光学耦合到波导，多个移相器段用于根据电驱动信号调制波导中承载的连续光以生成信号光。多个移相器段包括第一移相器段和第二移相器段，第一移相器段包括第一N掺杂区和第一P掺杂区，第二移相器段包括第二N掺杂区和第二P掺杂区。在第一N掺杂区和第二N掺杂区之间设置有第一隔离区，第一隔离区用于形成等效电阻，或等效电容。通过形成等效电容，本申请公开的光调制器降低了隔离区的长度，进而降低驱动功耗。
主权项：1.一种光调制器，其特征在于，包括波导和多个移相器段，其中：所述多个移相器段光学耦合到所述波导，所述多个移相器段用于根据电驱动信号调制所述波导中承载的连续光以生成信号光；所述多个移相器段包括第一移相器段和第二移相器段，所述第一移相器段包括第一N掺杂区和第一P掺杂区，所述第二移相器段包括第二N掺杂区和第二P掺杂区；在所述第一N掺杂区和所述第二N掺杂区之间设置有第一隔离区，所述第一隔离区为第三P掺杂区，所述第三P掺杂区与所述第一N掺杂区形成第一PN结，所述第三P掺杂区与所述第二N掺杂区形成第二PN结，所述第一PN结与所述第二PN结在外部偏压控制下处于反偏状态；所述第一隔离区用于形成等效电容。
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