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申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日：2020-12-17
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN112561821B
主分类号：G06T5/70
分类号：G06T5/70;G06K7/10
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.04.13#实质审查的生效;2021.03.26#公开
摘要：本发明公开了一种基于近场扫描的芯片表面电磁数据降噪方法，包括以下步骤：通过对芯片表面进行近场扫描得到电磁数据；对得到的电磁数据进行信号提取，得到电磁图像；对电磁图像进行局部均值估计和局部噪声方差估计；对电磁图像中的所有相似块的每个像素进行加权平均处理，得到真实图像的基础估计；使用基础估计对电磁图像进行维纳降噪，得到局部估计；使用加权平均对所有得到的局部估计进行聚合，计算出真实图像的最终估计，从而得到最终的降噪图像。本发明的方法能够针对近场扫描的复杂噪声进行有效地降噪。
主权项：1.一种基于近场扫描的芯片表面电磁数据降噪方法，其特征在于，包括以下步骤：通过对芯片表面进行近场扫描得到电磁数据；对得到的电磁数据进行有用信号提取，得到电磁图像；对电磁图像进行局部均值估计和局部噪声方差估计；对电磁图像中的所有相似块的每个像素进行加权平均处理，得到真实图像的基础估计；使用基础估计对电磁图像进行维纳降噪，得到局部估计；使用加权平均对所有得到的局部估计进行聚合，计算出真实图像的最终估计，从而得到最终的降噪图像，所述对得到的电磁数据进行有用信号提取，得到电磁图像包括：对电磁数据的数据矩阵按行方向计算数据矩阵的方差；将计算出来的方差作为一维向量求方差，得到行方差；对数据矩阵按列方向计算数据矩阵的方差；将计算出来的方差作为一维向量求方差，得到列方差；将行方差和列方差求平均值，得到电磁图像的整体方差；将得到的电磁图像的整体方差与设定的方差阈值进行比较，提取出有用信号，得到电磁图像。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 基于近场扫描的芯片表面电磁数据降噪方法
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