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申请/专利权人：湖南大学
申请日：2021-07-08
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113707357B
主分类号：G21K1/06
分类号：G21K1/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.12.14#实质审查的生效;2021.11.26#公开
摘要：本发明公开了一种高深宽比波带片的制备方法，目的是高效可靠地制备高深宽比纳米级波带片。本发明首先采用电子束曝光技术得到HSQ光刻波带片图案硬掩膜，然后进行深刻蚀，将图案转移到衬底上，得到高深宽比的波带片模板，再使用原子层沉积进行材料填充，最后进行离子束抛光去除了多余的材料。该工艺可以提高纳米级波带片的深宽比，而且采用全干法工艺，提升了器件制备的可靠性，使成品率提升，适用于工业化量产。总体而言，该制备方法具有高效率、高可靠性等优点，可实现大批量、大面积的制备。
主权项：1.一种高深宽比波带片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供硅衬底，并对衬底进行清洗处理；步骤二、在衬底上旋涂一层负型光刻胶；步骤三、利用光刻技术对负型光刻胶进行图案曝光；步骤四、利用显影液对曝光后的样品进行显影操作得到显影后的负型光刻胶掩膜图案；步骤五、利用刻蚀工艺将负型光刻胶上的图案转移到硅衬底上，再使用干法刻蚀去除负型光刻胶模板；步骤六、利用原子层沉积技术在衬底上逐层生长氧化铝材料；步骤七、利用斜角离子束抛光，对样品进行平坦化处理直至衬底之上的氧化铝全部去除；所述步骤一的衬底为X射线透过率较低的材料衬底；所述步骤一中清洗衬底后，用离子体清洗机对衬底表面进行处理，依靠等离子体中活性粒子的活化作用，去除衬底表面污渍；所述步骤二中的负型光刻胶包括HSQ、NR26-25000P、SU-8；所述步骤四中的显影液为负型光刻胶显影液，包括HSQ、NR26-25000P、SU-8显影液；所述步骤七中的离子束抛光的角度范围为0～90度，刻蚀的时间为0-120分钟；所述步骤五中的刻蚀工艺包括深反应离子刻蚀工艺、离子束刻蚀工艺和电感耦合等离子体反应离子刻蚀工艺；所述步骤三中的光刻技术包括电子束曝光技术、离子束曝光技术、紫外或者极紫外曝光技术、X射线曝光技术、激光直写技术、激光干涉光刻技术和纳米压印技术。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 一种高深宽比波带片的制备方法
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