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【发明授权】SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置_南京航空航天大学;南京开关厂有限公司_202111538772.7 

申请/专利权人:南京航空航天大学;南京开关厂有限公司

申请日:2021-12-15

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN114301269B

主分类号:H02M1/088

分类号:H02M1/088

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.17#授权;2022.04.26#实质审查的生效;2022.04.08#公开

摘要:本发明公开了一种SiCSi混合并联器件的栅极优化控制方法及装置,具体为:步骤1:根据流经SiCSi混合并联器的负载电流选择开关模式;步骤2:采用迭代计算根据SiCSi混合并联器件的损耗计算SiCMOSFET的结温Tj_MOS以及SiCMOSFET的结温Tj_IGBT;步骤3:在Tj_MOS和Tj_IGBT之间选择最大值作为参考结温Tj,如果Tj小于预设的第一参考结温Tref_j1,或者大于等于预设的第二参考结温Tref_j2,则采用最小损耗控制法计算SiCSi混合并联器开关的开通、关断延迟时间;否则采用热平衡法。本发明提高了混合并联器的效率。

主权项:1.SiCSi混合并联器件的栅极优化控制方法,其特征在于,所述SiCSi混合并联器件包括开关SiCMOSFET,以及并联于SiCMOSFET两端的开关SiIGBT,所述方法具体为:步骤1:根据流经SiCSi混合并联器的负载电流选择SiCSi混合并联器的开关模式;步骤2:采用迭代计算根据SiCSi混合并联器件的损耗计算SiCMOSFET的结温Tj_MOS以及SiCIGBT的结温Tj_IGBT;步骤3:在Tj_MOS和Tj_IGBT之间选择最大值作为参考结温Tj,如果Tj小于预设的第一参考结温Tref_j1,或者如果Tj大于等于预设的第二参考结温Tref_j2,则采用最小损耗控制法计算SiCSi混合并联器中开关的开通、关断延迟时间;如果Tref_j1≤TjSTref_j2,则采用热平衡法计算SiCSi混合并联器中开关的开通、关断延迟时间;所述步骤3中采用热平衡法计算SiCSi混合并联器中开关的开通、关断延迟时间具体为:预设N组开关的开通、关断延迟时间组,基于步骤2中计算得到的Tj_IGBT和Tj_MOS对每一组开通、关断延迟时间组进行迭代计算,具体迭代计算过程为:步骤3.1:将步骤2中计算得到的Tj_IGBT作为SiIGBT结温的初始值,将步骤2中计算得到的Tj_MOS作为SiCMOSFET结温的初始值;步骤3.2:进行第t次迭代计算,根据第n组开关的开通、关断延迟时间以及第t-1次迭代计算得到的SiIGBT的结温,计算第t次迭代计算时SiIGBT的损耗Ploss_IGBT_t,根据第n组开关的开通、关断延迟时间以及第t-1次迭代计算得到的SiCMOSFE的结温,计算第t次迭代计算时SiCMOSFET的损耗Ploss_MOS_t,n∈[1,N];步骤3.3:根据Ploss_IGBT_t计算第t次迭代计算时SiIGBT的结温Tj_IGBT_t,根据Ploss_MOS_t计算第t次迭代计算时SiMOSFET的结温Tj_MOS_t;步骤3.4:计算Tj_IGBT_t和Tj_MOS_t之间的差值,判断是否小于预设的阈值,若是,则转步骤3.5;否则,迭代次数加1,并转步骤3.2;步骤3.5:停止计算并记录迭代次数;当N组开关的开通、关断延迟时间组都进行完迭代计算后,选择迭代次数最少的一组开通、关断延迟时间组。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京航空航天大学;南京开关厂有限公司 SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置

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