申请/专利权人：江东电子材料有限公司;哈尔滨工业大学

申请日：2022-02-21

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN114635168B

主分类号：C25D1/04

分类号：C25D1/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.07.05#实质审查的生效;2022.06.17#公开

摘要：本发明提供一种瘤球针状低轮廓铜箔的制备技术，该制备技术包括：对粗化铜箔进行瘤球化处理，以在粗化铜箔的表面形成具有若干个瘤球件的电镀层，得到固化铜箔；对固化铜箔进行针状处理，以在固化铜箔的表面形成粗糙层，得到低轮廓铜箔，其中，粗糙层包括形成于电镀层表面的多个纳米级的针状件，针状件与瘤球件形成瘤球针状结构，针状件为铜结构件。本发明提供的瘤球针状低轮廓铜箔的制备技术能够在确保粗糙度尽可能小的情况下，使得瘤球针状低轮廓铜箔具有较高的抗剥离强度。

主权项：1.一种瘤球针状低轮廓铜箔的制备技术，其特征在于，所述制备技术包括：对粗化铜箔进行瘤球化处理，以在所述粗化铜箔的表面形成具有若干个瘤球件的电镀层，得到固化铜箔；对所述固化铜箔进行针状处理，以在所述固化铜箔的表面形成粗糙层，得到低轮廓铜箔，其中，所述粗糙层包括形成于所述瘤球件表面的多个纳米级的针状件，所述针状件与所述瘤球件形成了瘤球针状结构，所述针状件为铜结构件；所述针状处理包括依次对所述固化铜箔进行第一针状处理和第二针状处理；其中，所述第一针状处理包括采用氧化液对所述固化铜箔进行氧化处理，以在所述电镀层的表面形成初始针状件；所述第二针状处理包括采用还原液对所述初始针状件进行还原处理，以形成所述针状件；所述氧化液包括氧化剂，所述第一针状处理中采用所述氧化剂对所述电镀层进行第一氧化处理，以使所述电镀层中的部分铜在所述电镀层的表面形成所述初始针状件；所述氧化液还包括稳定剂，所述第一针状处理中所述稳定剂用于稳定所述氧化剂结构的稳定性；所述氧化剂为过硫酸铵，所述稳定剂为氢氧化钠，和或，所述氧化液中所述氧化剂的浓度为10gL～100gL，所述稳定剂的浓度为20gL～150gL；所述还原液包括还原剂，所述第二针状处理中采用所述还原剂对所述初始针状件进行所述还原处理；所述还原剂为二甲胺基甲硼烷，和或，所述还原液中所述还原剂的浓度为5gL～100gL；所述对粗化铜箔进行瘤球化处理，包括：对所述粗化铜箔进行第一瘤球化处理，以在所述粗化铜箔的表面形成所述电镀层，所述电镀层中具有若干个所述瘤球件；对所述粗化铜箔进行第二瘤球化处理，以缩小所述瘤球件的尺寸，其中，所述针状件形成于所述瘤球件的表面。

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权利要求：

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