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申请/专利权人：华能(泰安)光电科技有限公司
申请日：2022-06-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN115140932B
主分类号：C03B37/027
分类号：C03B37/027;C03B37/014
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.10.04#公开
摘要：本发明提供了一种弯曲不敏感单模光纤及其制备方法，光线的波导结构包括阶跃型芯层和包层，其中包层又包括内下陷包层、外下陷包层、纯硅包层，这种光纤结构设计简单，易于生产。该光纤相比于普通的凹陷型弯曲不敏感单模光纤，具有双下陷包层，能对光场尾场产生较强的壁垒效应，使得信号不易受到光纤的弯曲影响而轻易逸出芯层。同时，用VAD沉积法、OVD沉积法、烧结掺杂SiF4的工艺方法制备这种弯曲不敏感单模光纤，克服了传统MCVD、PCVD等管内法沉积速率慢、产品尺寸易受衬管尺寸限制、不宜制备低水峰光纤等缺点，易实现规模化生产。
主权项：1.一种弯曲不敏感单模光纤，其特征是，所述光纤包括阶跃型芯层和包层，所述包层包括由内而外的内下陷包层、外下陷包层和纯硅包层；阶跃型芯层的相对折射率差为0.36％～0.41％，芯层内下陷包层的相对折射率差为-0.02％～-0.03％，外下陷包层的相对折射率差为-0.04％～-0.06％；所述光纤由芯灯沉积成阶跃型芯层，包灯沉积成内下陷包层，得到疏松体，将所述疏松体烧结延伸为预设直径的芯棒，将芯棒进行沉积和烧结掺SiF4，在所述芯棒上形成外下陷包层；芯灯中通入反应所需的SiCl4、H2、O2、Ar和GeCl4；包灯中通入反应所需的SiCl4、H2、O2、Ar和CF4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华能(泰安)光电科技有限公司 一种弯曲不敏感单模光纤及其制备方法
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