申请/专利权人：曲靖阳光新能源股份有限公司

申请日：2023-08-11

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN117058090B

主分类号：G06T7/00

分类号：G06T7/00;G01N21/95;G06T7/80;G06F16/583

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开

摘要：本发明提供用于检测单晶硅片缺陷的方法和装置，其中方法包括：基于第一拍摄图像以及预设的缺陷检测库，确定可疑缺陷信息；基于可疑缺陷信息，确定第二拍摄姿态、第二拍摄位置和待确认缺陷；控制图像采集设备以第二拍摄姿态在第二拍摄位置对待检测单晶硅片进行拍摄，获取第二拍摄图像；基于第二拍摄图像，对待确认缺陷进行确认；当确认为是时，输出待确认缺陷。本发明首先对待检测单晶硅片进行一次拍摄，确定可疑缺陷信息，并分析确定第二拍摄姿态、第二拍摄位置和待确认缺陷，再对待检测单晶硅片进行二次拍摄，对待确认缺陷进行确认，灵活、针对性调整图像采集设备的拍摄姿态、位置，提升对待检测单晶硅片进行缺陷检测的全面性，避免遗漏。

主权项：1.用于检测单晶硅片缺陷的方法，其特征在于，包括：步骤S1：控制图像采集设备以预设的第一拍摄姿态在预设的第一拍摄位置对待检测单晶硅片进行拍摄，获取第一拍摄图像；步骤S2：基于所述第一拍摄图像以及预设的缺陷检测库，确定可疑缺陷信息；步骤S3：基于所述可疑缺陷信息，确定第二拍摄姿态、第二拍摄位置和待确认缺陷；步骤S4：控制所述图像采集设备以所述第二拍摄姿态在所述第二拍摄位置对待检测单晶硅片进行拍摄，获取第二拍摄图像；步骤S5：基于所述第二拍摄图像，对所述待确认缺陷进行确认；步骤S6：当确认为是时，输出所述待确认缺陷；还包括：对所述缺陷检测库进行扩充；所述对所述缺陷检测库进行扩充，包括：获取未来预设的时间内的单晶硅片缺陷检测任务；基于预设的特征提取模板，对所述单晶硅片缺陷检测任务进行特征提取，获得第一任务特征集；基于预设的任务特征集补全库，对所述第一任务特征集进行补全，获得第二任务特征集；基于所述第二任务特征集，生成内容相关条件；从预设的补入内容库中确定符合所述内容相关条件的待补入内容；获取所述待补入内容的价值度；当所述价值度大于等于预设的价值度阈值时，将对应所述待补入内容补入所述缺陷检测库；其中，基于预设的任务特征集补全库，对所述第一任务特征集进行补全，获得第二任务特征集，包括：依次遍历所述第一任务特征集中的任务特征；每次遍历时，从所述任务特征集补全库中确定所述任务特征的特征类型对应的补全任务特征；将所述补全任务特征列入所述第一任务特征集；遍历所述任务特征结束后，将所述第一任务特征集作为所述第二任务特征集；其中，所述获取所述待补入内容的价值度，包括：确定所述待补入内容是否符合第一赋值条件；当为是时，所述价值度以预设的第一目标值计；否则，确定所述待补入内容是否符合第二赋值条件；当为是时，所述价值度以预设的第二目标值计；否则，所述价值度以预设的第三目标值计；其中，所述第一赋值条件包括：所述缺陷检测库中不存在目标在库内容；所述目标在库内容为所述缺陷检测库中与所述待补入内容的相似度大于等于预设相似度阈值的在库内容；其中，所述第二赋值条件包括：所述目标在库内容的数目小于等于预设数目阈值；其中，所述第一目标值大于所述第二目标值大于所述第三目标值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 曲靖阳光新能源股份有限公司 用于检测单晶硅片缺陷的方法和装置

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