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申请/专利权人：化合积电(厦门)半导体科技有限公司
申请日：2023-08-07
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN116988162B
主分类号：C30B33/00
分类号：C30B33/00;C30B25/18;C30B29/04;C23C16/511;C23C16/18;C23C16/56;C23C14/35;C23C14/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2023.11.21#实质审查的生效;2023.11.03#公开
摘要：本发明属于材料科学技术领域，尤其涉及一种降低铱衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷的方法，方法包括：步骤一、在铱衬底上异质外延生长出单晶金刚石薄膜；步骤二、在所述金刚石薄膜表面沉积掩膜，得到第一中间产物；步骤三、对所述第一中间产物进行退火处理，得到第二中间产物；步骤四、使所述第二中间产物在等离子体环境中进行生长，生长后进行清洗处理，得到第三中间产物；步骤五、得到第三中间产物后，依次重复步骤二到步骤四，直至单晶金刚石薄膜的缺陷密度达到预设要求。本发明针对Ir衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷提出了采用掩膜填充表面缺陷的方法，以及应用此种方法的相关工艺，以满足降低甚至消除异质外延单晶金刚石的生长缺陷。
主权项：1.一种降低铱衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷的方法，其特征在于，包括：步骤一、在铱衬底上异质外延生长出单晶金刚石薄膜；步骤二、在所述单晶金刚石薄膜表面沉积掩膜，得到第一中间产物，其中，采用PVD法或MOCVD法在所述单晶金刚石薄膜表面沉积一层掩膜，掩膜厚度为10-200nm，所述掩膜材料包括Ir、Pt、Ni和Si；步骤三、对所述第一中间产物进行退火处理，得到第二中间产物；步骤四、使所述第二中间产物在等离子体环境中进行生长，生长后进行清洗处理，得到第三中间产物；步骤五、得到第三中间产物后，依次重复步骤二到步骤四，直至单晶金刚石薄膜的缺陷密度达到预设要求；所述预设要求为单晶金刚石的缺陷密度小于104cm2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 化合积电(厦门)半导体科技有限公司 一种降低铱衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷的方法
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