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申请/专利权人：桂林理工大学
申请日：2023-09-04
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN117049871B
主分类号：C04B35/453
分类号：C04B35/453
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开
摘要：本发明公开了一种氧化铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法。具体材料为Bi2O30.95‑xHo0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3xWO30.05,x=0.1、0.2、0.3、0.4，制备方法是按照化学式的计量比组成称量配料，使用研钵反复研磨得到混合物；将混合物压片，放入高温烧结马弗炉中，在650°C下烧8小时。再研磨后，在850~1080°C下烧制10小时，得到致密的陶瓷片。本发明制备的氧离子导体材料成本低廉、制备工艺简单，热稳定性和化学稳定性好，电导率高，其中Bi2O30.75Ho0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O30.2WO30.05在550℃时，陶瓷总电导率达1.1×10‑2Scm，700℃时所有比例陶瓷电导率均大于10‑2Scm，能作为电解质材料应用于中低温氧化物燃料电池，具有广泛的应用前景。
主权项：1.一种氧化铋基中低熵氧离子导体材料Bi2O30.95-xHo0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3xWO30.05，x=0.1、0.2、0.3、0.4陶瓷的制备方法，具体制备步骤为：（1）将纯度为质量百分比99%的Bi2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3以及WO3原料按照Bi2O30.95-xHo0.4Er0.4Tm0.4Yb0.4Lu0.4O3xWO30.05，x=0.1、0.2、0.3、0.4摩尔比组成称量配料；按制得4g的产物进行准备，将称好的原料放置于研钵中，加适量的无水乙醇，反复研磨一个小时，在红外灯下烘干；（2）将烘干后的粉末分别称取4g用Φ20模具压片，放入高温烧结马弗炉中，在650°C下预烧8小时；再研磨后，称取0.5g用Φ10模具压片，在850~1080°C下烧制10小时，样品以5℃min的速度升温和降温，得到致密的陶瓷片；（3）将步骤（2）制得陶瓷片砸碎，然后通过XRD、SEM-EDS测试得到目标材料，通过EIS测试得出，在700℃所有比例电导率均大于10-2Scm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林理工大学 一种氧化铋基中低熵氧离子导体材料及其制备方法
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