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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2023-10-31
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN117467976B
主分类号：C23C16/455
分类号：C23C16/455;C23C16/44;H01L21/67
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开
摘要：本申请公开一种用于气相沉积工艺腔室的上衬环、下衬环、进气衬体和内衬，其中，上衬环包括第一环本体、第一导流件和第二导流件，第一导流件和第二导流件相对设置，且凸出于第一环本体的下端面，第一导流件的第一端和第二导流件的第一端均位于上衬环的进气侧，第一导流件的第二端和第二导流件的第二端均位于上衬环的排气侧，上衬环的进气侧和上衬环的排气侧为上衬环的相背的两侧，在从进气侧至排气侧的方向上，第一导流件与第二导流件之间的距离逐渐减小。上述方案能解决背景技术中所提及的气相沉积工艺腔室存在的工艺质量不佳的问题。本申请还公开一种气相沉积工艺腔室和半导体工艺设备。
主权项：1.一种用于气相沉积工艺腔室的上衬环，其特征在于，包括第一环本体313、第一导流件311和第二导流件312，其中：所述第一导流件311和所述第二导流件312相对设置，且凸出于所述第一环本体313的下端面，所述第一导流件311的第一端和所述第二导流件312的第一端均位于所述上衬环31的进气侧，所述第一导流件311的第二端和所述第二导流件312的第二端均位于所述上衬环31的排气侧，所述上衬环31的进气侧和所述上衬环31的排气侧为所述上衬环31的相背的两侧，在从所述进气侧至所述排气侧的方向上，所述第一导流件311与所述第二导流件312之间的距离逐渐减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 用于气相沉积工艺腔室的上衬环、下衬环、进气衬体和内衬
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