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申请/专利权人：高通股份有限公司
申请日：2018-10-25
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111557031B
主分类号：G11C7/08
分类号：G11C7/08;G11C7/10;G11C11/419
优先权：["20180105 US 62/614,322","20180918 US 16/134,937"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2020.09.11#实质审查的生效;2020.08.18#公开
摘要：公开了一种存储器系统，该存储器系统包括：被电耦合到与存储器阵列的列相关联的第一位线和第二位线的读出放大器；被电耦合到第一位线的bl晶体管，其中bl晶体管被配置为从第一位线接收第一电信号作为输入；以及被电耦合到第二位线的blb晶体管，其中blb晶体管被配置为从第二位线接收第二电信号作为输入，其中bl晶体管的输出和blb晶体管的输出被电耦合在一起作为共同输出，并且其中读出放大器被配置为接收bl晶体管和blb晶体管的共同输出作为输入。
主权项：1.一种存储器系统，包括：读出放大器，被电耦合到与存储器阵列的列相关联的第一位线和第二位线；bl晶体管，被电耦合到所述第一位线，其中所述bl晶体管被配置为基于所述第一位线被放电来从所述第一位线接收第一电信号作为输入；blb晶体管，被电耦合到所述第二位线，其中所述blb晶体管被配置为基于所述第二位线被放电来从所述第二位线接收第二电信号作为输入，其中所述bl晶体管的输出和所述blb晶体管的输出被电耦合在一起作为共同输出，其中所述存储器系统还包括多路复用器，所述多路复用器被配置为选择来自程序读出放大器使能信号晶体管的输入或所述bl晶体管和所述blb晶体管的所述共同输出，并且其中所述读出放大器被配置为接收来自所述程序读出放大器使能信号晶体管的所述输入或所述bl晶体管和所述blb晶体管的所述共同输出作为输入以作为读出放大器使能信号。
全文数据：
权利要求：
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