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【发明授权】低缺陷高电容薄固态电解质电容器及其制造方法_株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会_202080065251.1 

申请/专利权人:株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会

申请日:2020-09-09

公开(公告)日:2024-05-17

公开(公告)号:CN114556507B

主分类号:H01G11/86

分类号:H01G11/86;H01G11/84;H01G11/56;H01G11/50;H01G11/46;H01G11/30

优先权:["20190917 EP 193061165"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.17#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.05.27#公开

摘要:提出了一种制造电容器的方法。该方法包括:在基板上方形成三维结构,该三维结构包括具有从远离基板的三维结构的顶表面朝向基板延伸的细长孔或离开基板朝向远离基板的三维结构的顶表面延伸的细长柱的区域;在三维结构的所述区域的表面上方形成第一电极层,第一电极与所述区域的所述表面共形;在第一电极层上方形成中间层;以及在中间层上方形成第二电极层,第二电极层与中间层共形,其中,形成中间层包括:形成与第一电极层部分地共形的固态电解质层;以及形成与第一电极层共形的电介质层。

主权项:1.一种制造电容器的方法,包括:在基板402上方形成三维结构420,所述三维结构420包括区域408,所述区域408具有从远离所述基板402的所述三维结构420的顶表面朝向所述基板402延伸的细长孔,或离开所述基板402朝向远离所述基板402的所述三维结构420的所述顶表面延伸的细长柱;在所述三维结构420的所述区域408的表面上方形成第一电极层410,所述第一电极层410与所述区域408的所述表面共形;在所述第一电极层410上方形成中间层;以及在所述中间层上方形成第二电极层416,所述第二电极层416与所述中间层共形,其中,形成所述中间层包括:形成与所述第一电极层410部分地共形的固态电解质层412;以及形成与所述第一电极层410共形的电介质层414。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会 低缺陷高电容薄固态电解质电容器及其制造方法

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