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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2018-11-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111192919B
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2020.06.16#实质审查的生效;2020.05.22#公开
摘要：本发明提供了一种晶体管、半导体器件及晶体管的形成方法，通过在衬底的源区及漏区之间形成若干沿着所述源区至所述漏区的方向排列的凹槽，再形成位于所述源区及所述漏区之间的衬底上并填充所述凹槽的栅极结构，在不增加晶体管面积的情况下增加了沟道的长度沿着所述源区至所述漏区方向的尺寸，降低了晶体管的漏电流，从而降低了能耗，提高了半导体器件的可靠性。
主权项：1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有源区和漏区；对所述源区和所述漏区之间的衬底执行刻蚀工艺，以形成沿着所述源区至所述漏区的方向排列的若干凹槽；填充导电材料于所述凹槽中，所述导电材料还延伸至所述衬底上，以使填充于相邻凹槽中的导电材料相互连接，并构成栅极结构；对所述源区和所述漏区之间的衬底执行刻蚀工艺包括：形成第二掩膜层于所述源区和所述漏区之间衬底上，所述第二掩膜层中形成有若干第二开口；形成侧墙于所述第二开口的侧壁上；形成第三掩膜层于所述衬底上，所述第三掩膜层填充所述第二开口；去除所述第二掩膜层及所述侧墙并保留所述第三掩膜层，以所述第三掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，以形成若干所述凹槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 晶体管、半导体器件及晶体管的形成方法
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