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申请/专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日：2019-08-06
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN110808719B
主分类号：H03F3/21
分类号：H03F3/21;H03F3/24;H03F1/52
优先权：["20180806 US 16/055,437"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.01.21#专利申请权的转移;2020.03.13#实质审查的生效;2020.02.18#公开
摘要：本公开涉及用于功率放大器的击穿保护电路。公开了用于提高放大器的可靠性和或减少或防止放大器的击穿特别是放大器的晶体管的击穿的系统、方法和设备。保护电路可以电耦合到放大器，并且可以配置成减少放大器处的电压摆动。放大器可以包括第一晶体管，并且保护电路可以包括电耦合到放大器的第一晶体管的控制端子的第二晶体管。当保护电路的第二晶体管的控制端子处的电源满足阈值功率时，保护电路可以配置为降低放大器的第一晶体管的电源端子处的功率。通过降低放大器的第一晶体管的电源端处的电压，保护电路可以允许放大器安全地操作，而不会发生击穿。
主权项：1.一种设备，包括：放大器；和保护电路，电耦合到所述放大器的控制端子，所述保护电路被配置为至少部分地基于所述放大器的控制端子处或所述放大器的电源端子处的功率超过阈值功率而减小所述放大器处的电压摆动，其中所述放大器包括堆叠布置的第一晶体管和第二晶体管，使得所述第一晶体管的电源端子电耦合到所述第二晶体管的电源端子，并且其中所述控制端子包括所述第一晶体管的控制端子，其中所述保护电路包括堆叠布置的第一晶体管和第二晶体管，使得所述保护电路的第一晶体管的电源端子电耦合到所述保护电路的第二晶体管的电源端子，其中:所述保护电路的第一晶体管的控制端子电耦合到所述放大器的第一晶体管的控制端子，所述保护电路的第一晶体管的电源端子电耦合到所述放大器的第一晶体管的电源端子，和所述保护电路的第二晶体管的控制端子电耦合到所述放大器的第二晶体管的控制端子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亚德诺半导体国际无限责任公司 用于功率放大器的击穿保护电路
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