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申请/专利权人：晶能光电股份有限公司;江西晶亮光电科技协同创新有限公司
申请日：2019-12-02
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111129243B
主分类号：H01L33/32
分类号：H01L33/32;H01L33/30;H01L33/06;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2023.04.14#著录事项变更;2021.09.24#实质审查的生效;2020.05.08#公开
摘要：本发明提供了一种GaN基紫外LED的外延结构，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由InaGa1‑aN量子阱层和AlGaN突变阶梯势垒层形成的周期性结构；其中，0.01a0.05；AlGaN突变阶梯势垒层由多层AlGaN组成，且从下至上各层AlGaN中的Al组分逐渐增加，0.08b0.16。在外延结构中，AlGaN突变阶梯势垒层采用Al组分从低到高的突变阶梯结构，在阶梯Al组分突变量子垒中间引入二维电子气以部分抵消紫外多量子阱垒中的极化电场，缓解厚量子阱结构应用于紫外LED中受到的应力限制，改善紫外LED的电流扩展能力，从而提高紫外LED的内量子效率。
主权项：1.一种GaN基紫外LED的外延结构，其特征在于，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由InaGa1-aN量子阱层和AlGaN突变阶梯势垒层形成的周期性结构；0.01a0.05；AlGaN突变阶梯势垒层由多层AlGaN组成，且从下至上各层AlGaN中的Al组分x逐渐增加，0.08≤x≤0.16；在阶梯Al组分突变量子垒中间引入二维电子气。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶能光电股份有限公司;江西晶亮光电科技协同创新有限公司 GaN基紫外LED外延结构
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